全球 DRAM 記憶體危機：AI 需求引爆價格飆漲 171%，消費電子市場面臨衝擊

2026 年的全球半導體市場正在經歷一場前所未有的結構性危機。DRAM 記憶體晶片——這種存在於幾乎所有電子設備中的關鍵組件——價格在過去一年內飆漲了 171%。DDR5 現貨價格自 2025 年 9 月以來已經翻了四倍，從每顆晶片不到 3 美元躍升至超過 12 美元。這不是一般的週期性波動，而是由人工智能對記憶體的「無底洞」式需求所驅動的結構性失衡。

這場危機的根源極為集中：全球超過 90% 的 DRAM 市場由三家公司——韓國的 SK Hynix、韓國的 Samsung（三星）及美國的 Micron（美光）——所壟斷。當 AI 數據中心的記憶體需求在 2026 年吞噬了全球 70% 的產能時，留給智能手機、個人電腦、遊戲主機和汽車電子的份額便急劇萎縮。消費者正在為這場看不見的資源爭奪戰買單。

HBM：Nvidia GPU 背後的真正瓶頸

要理解這場危機，必須先理解一種特殊的記憶體技術——HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬記憶體）。HBM 是一種將多層 DRAM 晶片垂直堆疊並透過矽通孔（TSV）技術連接的先進封裝方案，能提供傳統記憶體數十倍的頻寬。它是 Nvidia 每一代旗艦 AI 加速器不可或缺的組成部分：H100 使用 HBM3，H200 和 Blackwell 系列使用 HBM3E，而即將推出的 Rubin 架構更將採用下一代 HBM4。

每一塊 Nvidia Blackwell Ultra GPU 需要搭配 288GB 的 HBM3E 記憶體。一台配備八塊 GPU 的 DGX 伺服器需要超過 2TB 的 HBM。當科技巨頭一次訂購數十萬塊 GPU 時，對 HBM 的需求便以天文數字般增長。而製造 HBM 比製造普通 DRAM 困難得多——良率更低、製程更複雜、產能擴張更慢——這進一步加劇了供應瓶頸。

「HBM 的生產佔用了大量原本可用於生產傳統 DRAM 的晶圓產能。每生產一顆 HBM 晶片，就意味着少生產數顆 DDR5 晶片。AI 對 HBM 的渴求，正在以犧牲整個消費電子生態系統為代價。」——半導體產業分析師

HBM 的產能挪用效應

HBM 對傳統 DRAM 市場的衝擊遠不止於簡單的產能競爭。由於 HBM 製造需要使用先進製程節點的晶圓，且每顆 HBM 晶片需要 8 至 12 層 DRAM Die 的堆疊，其對晶圓的消耗量遠超同等容量的傳統記憶體。據行業估算，HBM 在 2026 年將消耗全球 DRAM 晶圓產能的約 30%，但其產出的位元容量僅佔整體 DRAM 市場的不到 10%。這種嚴重的產能效率落差，意味着每一個百分點的 HBM 產能增長，都會對傳統 DRAM 的供應造成放大數倍的壓力。

三大寡頭的產能困局

全球 DRAM 市場的高度集中是這場危機的關鍵放大器。SK Hynix、Samsung 和 Micron 三家公司控制了超過 90% 的市場份額，任何一家的產能決策都會對整個產業鏈產生巨大漣漪效應。

SK Hynix 是 HBM 領域的領跑者，佔據了 HBM 市場約 50% 的份額。該公司是 Nvidia 的主要 HBM 供應商，其位於韓國利川和清州的工廠正在全力生產 HBM3E。然而，即便以最大產能運轉，SK Hynix 的 HBM 產能仍然無法滿足市場需求的一半。Samsung 正在奮力追趕，但其 HBM3E 產品在良率和性能上一度落後於 SK Hynix，直到最近才開始獲得 Nvidia 的品質認證。

最能說明問題的或許是 Micron 的處境。這家美國記憶體巨頭已經公開表示，其 2026 年全年的 AI 記憶體產能已經全部售罄，且僅能滿足客戶需求的三分之二。換言之，即使 Micron 將所有可用產能都分配給 AI 記憶體，仍有三分之一的訂單無法交付。這種供需缺口的嚴重程度在 DRAM 產業的歷史上極為罕見。

科技巨頭的「搶記憶體」大戰

推動這場危機的直接力量是科技巨頭在 AI 數據中心上的瘋狂投資。數據顯示，全球大型科技公司在數據中心基礎設施上的支出正以指數級增長：2024 年約為 2,170 億美元，2025 年飆升至約 3,600 億美元，而 2026 年的預估更高達 6,500 億美元。這意味着僅僅三年間，支出便增長了兩倍。

這些天文數字的投資中，記憶體採購佔據了相當大的比例。每一座新建的 AI 數據中心都需要大量的 HBM 用於 GPU 伺服器，以及更大量的傳統 DDR5 用於 CPU 伺服器和儲存系統。當 Meta、Google、Microsoft、Amazon、Tesla 和眾多雲端服務提供商同時擴建數據中心時，記憶體市場便陷入了嚴重的供不應求。

更值得關注的是，這種需求具有高度的「不可壓縮性」。對於科技巨頭而言，在 AI 競賽中落後的代價遠高於記憶體漲價的成本。因此，即使 DRAM 價格翻倍甚至翻三倍，他們的採購量也不會顯著減少。相反，他們會提前鎖定更多的長期供應合約，進一步擠壓現貨市場的可用供應，形成價格螺旋上升的惡性循環。

Micron 的供應困境凸顯產業壓力

Micron 的情況最具代表性。該公司在 2026 年初的財報會議上透露，來自 AI 客戶的記憶體訂單遠超其產能上限。儘管 Micron 已經將大量傳統 DRAM 產線轉換為 HBM 生產線，並加速了位於日本廣島工廠的 HBM3E 量產進程，但訂單與產能之間的缺口仍然高達三分之一。這意味着即使是像 Nvidia 這樣的核心客戶，也需要面臨記憶體配額不足的現實。

「我們正面臨前所未有的需求環境。AI 記憶體的訂單已經排到了 2027 年，但我們的新產能要到 2028 年才能大規模投產。這中間的差距，就是整個行業的痛點所在。」——Micron 首席執行官 Sanjay Mehrotra

消費電子市場的連鎖衝擊

當 AI 數據中心以高溢價搶購了絕大部分記憶體產能後，消費電子產業鏈便成為了最直接的受害者。行業分析師預計，消費電子產品的價格可能在 2026 年內上漲約 20%，而且漲幅在不同產品類別之間的分佈並不均勻。

個人電腦市場首當其衝。一台標準的筆記型電腦通常配備 16GB 至 32GB 的 DDR5 記憶體，記憶體成本在整機物料清單（BOM）中的佔比本已不低。當 DDR5 現貨價格翻四倍後，這一成本佔比急劇上升，迫使 OEM 廠商要麼大幅提高終端售價，要麼壓縮利潤空間。市場研究機構預計，全球 PC 市場出貨量在 2026 年可能收縮 9%，其中記憶體漲價是主要推動因素之一。

智能手機市場同樣面臨壓力。旗艦智能手機通常搭載 12GB 至 16GB 的 LPDDR5X 記憶體，這種低功耗記憶體與標準 DRAM 共用產能。當產能被大量轉移至 HBM 生產後，LPDDR5X 的供應同樣趨緊，推高了手機的製造成本。行業數據顯示，全球智能手機銷量可能因此下降約 5%。

Tesla 和 Apple 的生產警告

最能說明問題嚴重性的，是來自行業巨頭的直接警告。Tesla（特斯拉）在最近的財報電話會議上明確表示，DRAM 短缺正在限制其車輛的生產進度。現代汽車搭載了大量的電子控制單元（ECU），每輛車需要使用多顆 DRAM 晶片。Tesla 的全自動駕駛（FSD）硬件更是對記憶體有極高的需求，車載 AI 計算平台需要大容量、高頻寬的記憶體來處理即時感知和決策任務。

Apple 也發出了類似的信號。儘管 Apple 擁有強大的供應鏈議價能力和長期供應合約作為緩衝，但該公司仍然承認 DRAM 供應緊張正在對其產品規劃造成影響。據報導，部分 iPad 和 Mac 型號的記憶體配置規格可能因供應限制而被調整。當連 Apple 這樣的超級客戶都感受到壓力時，中小型電子製造商的處境可想而知。

6,500 億美元數據中心投資潮的背後邏輯

要理解為何科技巨頭願意以天價搶購記憶體而絲毫不退縮，需要審視 AI 數據中心投資的底層邏輯。從 2024 年的 2,170 億美元到 2026 年的 6,500 億美元，三年間翻三倍的資本支出增長，背後是對 AI 將從根本上重塑全球經濟這一判斷的「集體押注」。

對於 Google、Microsoft、Meta 和 Amazon 而言，AI 基礎設施的投入不是可選的開支，而是攸關生存的戰略投資。在 AI 模型的 Scaling Law 仍然有效的階段，更多的算力意味着更強的模型，更強的模型意味着更多的用戶和收入。而算力不僅僅是 GPU——沒有足夠的記憶體，GPU 就無法發揮其全部潛力。HBM 頻寬不足會導致 GPU 利用率下降，進而降低整個數據中心的投資回報率。

這就解釋了為何科技巨頭對記憶體價格幾乎沒有彈性。對他們而言，一塊 GPU 閒置一天的機會成本，遠高於記憶體漲價帶來的額外採購成本。因此，他們不僅不會因漲價而減少採購，反而會加大提前囤貨的力度，以確保自身的產能擴張不會因記憶體短缺而延遲。這種行為進一步擠壓了市場上的可用供應，將價格推向更高水平。

供應何時才能追上需求？

當前的 DRAM 供應緊張局面不會在短期內得到緩解。記憶體工廠的建設週期長達兩到三年，且投資規模巨大。三大製造商雖然都在積極擴產，但新增產能大規模投產要等到 2027 年甚至 2028 年。

Micron 的擴產計劃最為具體。該公司正在美國愛達荷州博伊西（Boise）的總部附近建設新的記憶體工廠，同時在紐約州克萊（Clay）投資建設一座全新的大型晶圓廠。克萊工廠是美國歷史上最大的半導體製造業投資之一，預計總投資將超過 1,000 億美元。然而，這座工廠的第一期產能預計最早要到 2028 年才能開始量產。

SK Hynix 也在積極擴產。該公司正在韓國龍仁市建設一座新的記憶體工廠園區，總投資預計超過 900 億美元，是韓國史上最大的單一半導體投資項目。Samsung 則在其位於韓國平澤的超級工廠內增建新的產線。然而，即使這些項目全部按計劃推進，全球 DRAM 產能的顯著增長也要等到 2027 年下半年至 2028 年才能實現。

技術演進帶來的變數

在產能擴張之外，技術演進也可能對供需格局產生影響。HBM4 預計將在 2026 年末或 2027 年初開始量產，這一代產品採用了混合鍵合（Hybrid Bonding）技術，有望提高堆疊層數和良率。如果 HBM4 的位元密度能夠顯著提升，同等晶圓產能可以產出更多的記憶體容量，從而在一定程度上緩解供需矛盾。

此外，替代性記憶體技術如 MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）和 CXL（Compute Express Link）記憶體擴展技術，也在加速發展。雖然這些技術短期內無法取代 DRAM，但它們可能在特定應用場景中分擔部分記憶體需求，為 DRAM 市場減壓。

「這不是一場普通的晶片週期波動。AI 對記憶體的需求是結構性的、長期的、而且在持續加速。即使新工廠建成投產，需求的增長速度也可能繼續超過供應的擴張速度。市場的真正再平衡可能要到 2028 年之後才會出現。」——TrendForce 記憶體研究總監

地緣政治風險：集中供應鏈的脆弱性

這場記憶體危機還暴露了全球半導體供應鏈的一個重大地緣政治風險。全球超過 70% 的 DRAM 產能集中在韓國，而 HBM 的產能更幾乎全部位於韓國和日本。這種極度集中的地理分佈，使得 DRAM 供應鏈面臨顯著的地緣政治和自然災害風險。

朝鮮半島的安全局勢、中美科技競爭的外溢效應、以及韓國國內的政治動盪，都可能對記憶體供應造成衝擊。2025 年底韓國的政治危機便一度引發了市場對記憶體供應中斷的擔憂，推動了 DRAM 價格的進一步上漲。

正是基於這種供應鏈安全的考量，美國政府通過《CHIPS 法案》大力補貼 Micron 在美國本土的工廠建設。Micron 的博伊西和克萊工廠項目合計獲得了數十億美元的聯邦補貼。然而，即使在最樂觀的情境下，美國本土的 DRAM 產能要到 2028 年之後才能達到有意義的規模，在此之前，全球對韓國記憶體產能的依賴仍將持續。

對香港的影響與啟示

作為全球重要的電子產品貿易樞紐和金融中心，香港在這場記憶體危機中面臨多維度的影響。

電子產品貿易的直接衝擊

香港是全球最大的電子元器件轉口貿易中心之一，記憶體晶片長期是香港進出口貿易中金額最高的商品類別之一。DRAM 價格的大幅波動直接影響着香港電子貿易商的採購成本、庫存價值和利潤空間。對於深水埗和鴨寮街的電腦零售商而言，DDR5 記憶體模組價格的飆漲已經直接轉化為銷售下滑和客戶投訴。

消費者的荷包壓力

香港消費者將感受到記憶體漲價的直接衝擊。智能手機、筆記型電腦、平板電腦和遊戲主機的價格都將上漲。對於以數碼產品消費著稱的香港市場，這可能抑制換機需求，影響本地零售業的整體表現。特別是在全球 PC 市場預計收縮 9% 的背景下，香港的電腦零售業將面臨更大的經營壓力。

數據中心發展的挑戰

香港正積極發展成為區域數據中心樞紐，特別是配合北部都會區和新田科技城的規劃。然而，記憶體價格的飆漲無疑增加了數據中心的建設和運營成本。對於計劃在香港部署 AI 基礎設施的企業而言，記憶體採購成本的上升可能影響其投資決策和時間表。

金融市場的投資機遇

另一方面，這場危機也為香港的金融市場帶來了投資機遇。在港股市場上市的半導體相關公司、在香港設立的半導體投資基金，以及與記憶體供應鏈相關的貿易融資業務，都可能受惠於這一輪記憶體價格上升週期。香港作為連接中國大陸和國際資本市場的橋樑，在半導體產業的跨境投融資方面具有獨特優勢。

此外，大灣區內的電子製造企業——許多以香港為總部或融資平台——正在承受記憶體漲價帶來的成本壓力。這些企業的應對策略，包括產品設計優化、替代供應商開發和供應鏈金融安排，都與香港的專業服務密切相關。

展望：漫長的緊縮週期

綜合各方面的分析，這場由 AI 需求驅動的全球 DRAM 記憶體危機不會在短期內結束。幾個關鍵因素決定了供應緊張的局面將至少持續到 2027 年下半年。

首先，AI 數據中心的投資勢頭不會放緩。隨着大型語言模型向多模態演進、AI Agent 開始大規模部署、以及推理需求的指數級增長，對 HBM 和傳統 DRAM 的需求只會繼續攀升。其次，新增產能的投產需要時間。Micron 的克萊工廠、SK Hynix 的龍仁園區和 Samsung 的平澤擴建，最早也要到 2027 年底至 2028 年才能開始貢獻有意義的產能。第三，地緣政治風險和供應鏈集中度問題短期內無法解決，任何地緣事件都可能進一步加劇供應緊張。

對於消費者和企業而言，務實的應對策略包括：提前規劃設備採購以鎖定當前價格、在產品設計中優化記憶體使用效率、探索雲端計算作為本地計算資源的替代方案，以及密切關注記憶體市場的價格走勢以把握最佳採購時機。

這場記憶體危機是 AI 革命的一個深刻副作用。它提醒我們，在追逐 AI 技術前沿的同時，支撐這一切的物理基礎設施——從晶圓廠到記憶體晶片到電力供應——仍然受制於物理世界的約束。AI 或許可以在數碼世界中以光速運行，但構建和運行 AI 的硬體，仍然需要在現實世界中一磚一瓦地建設。